Коротко о файле:БГТУ / Кафедра "Химии, технологии электрохимических производств и материалов электронной техники" / Целью выполнения курсовой работы является поиск совершенствования технологии изделия КТ8304 на этапе эпитаксиального наращивания слоя кремния. Разработана технологическая схема процесса эпитаксиального наращивания, выполнены технологические, материальные и тепловые расчеты, необходимые для обеспечения выпуска 500 пластин в год. Так же рассмотрен раздел контроля качества и метрологического обеспечения. Рассмотрены вопросы окружающей среды в производстве эпитаксиального наращивания слоя кремния на изделие КТ8304. / Состав: 1 лист чертеж (аппаратурно–технологическая схема) + ПЗ (47 страниц)
Содержание
Литературный обзор
1.1 Физико-химически основы технологии эпитаксиальных слоев
1.2 Эпитаксия из газовой фазы
1.2.1 Физико-химические основы эпитаксии из газовой фазы
1.3 Технология процесса эпитаксии кремния
1.4 Дефекты эпитаксиальных слоев
2 Инженерное решение
3 Технологический раздел
3.1 Технологический маршрут изготовления кремневой подложки типа 100(18 КЭФ0,9/3КЭФ 3,0)/(460 ЭКЭС 0,01-11в(111))
3.2 Характеристика оборудования для эпитаксиального наращивания
3.3 Инженерно-технологические расчёты для процесса эпитаксиального наращивания 3.3.1 Обоснование единичной загрузки в реактор
3.3.2 Расчет продолжительности технологического цикла
3.3.3 Расчет материального и теплового баланса процесса эпитаксии. Расчет теплового баланса эпитаксиального реактора
3.3.4 Расчет скорости производства и коэффициента загрузки оборудования.
3.3.5 Расчет расхода исходных компонентов на заданную программу выпуска
4 Метрология и стандартизация
4.1Методы контроля толщины эпитаксиальных слоев
4.1.1 Метод сферического шлифа
4.1.2 Фурье-спектрометрия в инфракрасной области
4.2 Методы контроля удельного сопротивления эпитаксиальных слоев
4.2.1 Четырёх зондовый метод
4.3 Стандартизация
5 Охрана труда
6 Охрана окружающей среды
Заключение
Список источников
Заключение
В ходе выполнения курсовой работы разработана технологическая схема получения эпитаксиальных пленок. Произведен анализ литературных данных и сделаны выводы. Обосновано инженерное решение по совершенствованию технологии производства изделия. Произведены расчеты материального и теплового баланса на стадиях производства. В ходе чего материальный баланс расхода составил 240,220г, тепловой баланс - 335830,17
Была выбрана структура с исходными данными:
Исходные данные:
- Программа обработки 500 пластин/год;
- Единичная загрузка – 30 пластин
- Толщина пленки кремния – 21 мкм
- Температура проведения процесса 1150°С ±10°С.
- Скорость роста Si – 0,6 мкм/мин
- Природа подложки – Si – n+-типа
- Плотность Si – 2,33 г/см3
- Давление в реакторе – 1 Па
- Диаметр подложки – 100 мм
- Толщина подложки – 200 мкм
Время цикла составило 136,8 мин.
Выполнена графическая часть, представляющая собой принципиальную схему технологического процесса. Так же разработан раздел контроля качества и метрологического обеспечение технологии. Разработан раздел охраны окружающей среды.
