Коротко о файле:МГТУ им. Баумана / Факультет: Информатика и системы управления / Кафедра: Проектирование и технология производства электронной аппаратуры / По курсу: ТПМЭ / Состав: 5 листов чертежи + ПЗ.
Объем и содержание проекта
1. Схема электрическая принципиальная
2. Схема электрическая принципиальная на основе выбранных БЛЭ
3. Схема расположения БЛЭ на кристалле
4. Комплект послойных топологических чертежей спроектированного БМК
5. Совмещенный топологический чертеж
Техническое задание
1. Разработка топологических норм проектирования.
2. Выбор схемы для реализации на основе БМК, выбор логики реализации, выбор базового логического элемента, реализация выбранной схемы в базисе базовых логических элементов.
3. Проектирование топологии выбранных БЛЭ.
4. Проектирование схемы размещения БЛЭ на БМК.
5. Проектирование БМК на основе выбранных БЛЭ, трассировка.
6. Разработка послойных чертежей топологии БМК согласно требованиям существующих стандартов.
Постановка задачи На примере схемы КМОП-инвертора (рис. 1.1) рассчитать режимы создания областей КМОП-структуры, исходя из следующих исходных данных.
Область, слой
Толщина, мкм
Концентрация примеси, см-3
p--карман-подложка
2,6
В(3·1016)
Исток(сток)-подложка p-канального транзистора
2,1
В(2·1020)
Исток(сток)-подложка n-канального транзистора
2,0
P(8·1020)
Толщина изолирующего окисла (SiO2)
0,55
Толщина подзатворного диэлектрика (SiO2)
0,085
Ширина поликремниевого затвора
3
Подложка (Si)
(1015)
Металлизация
0,8
Напряжённость электрического поля пробоя диэлектрика 5*10^6 В/см.
