Коротко о файле:БГУТ / Специализация "Химическая технология квантовой и твердотельной электроники" / Целью данного курсового проекта является усовершенствование технологического процесса производства пластин монокристаллического кремния на на этапах химико-механической обработки. / Состав: 1 лист чертеж (установка травления) + ПЗ.
Пластины монокристаллического кремния в качестве подложек используются для производства интегральных микросхем, которые применяются практически во всех видах радиоэлектронной и электротехнической аппаратуры.
При производстве ИС к пластинам предъявляются высокие требования, связанные со спецификой их дальнейшего применения в качестве подложек. На подложках методом планарной технологии формируют элементы полупроводниковых приборов и микросхем, имеющие микронные и субмикронные размеры. Для создания таких элементов требуется идеальная форма пластин, отсутствие дефектов и загрязнений на их поверхности. Состояние поверхности подложек является одним из фундаментальных факторов, определяющих качество и надежность ИС.
Содержание
Введение
1 Литературный обзор
1.1 Физико-химические свойства кремния…
1.2 Назначение и характеристика ПМК
1.3 Технологическая схема производства ПМК
1.3.1 Ориентация слитков
1.3.2 Разрезание слитка на пластины 1.3.2.1Резка кругами с наружной режущей кромкой АОК 1.3.2.2Резка кругами с внутренней режущей кромкой АКВР 1.3.2.3Резка набором полотен 1.3.2.4Проволочная пила
1.3.3 Шлифование
1.3.4 Полирование 1.3.4.1Процесс финишной полировки пластин
1.3.5 Химическая обработка
1.3.6 Очистка пластин 1.3.6.1Химическая очистка пластин после шлифования 1.3.6.2Химическая очистка пластин после полирования
2 Инженерные решения
3 Разработка технологического процесса производства ПМК
4 Расчет материального баланса процесса изготовления ПМК
5 Метрология и стандартизация продукции
6 Охрана труда, техника безопасности
7 Охрана окружающей среды
Заключение
Список использованных источников
Приложение А
Приложение Б
Приложение В
В данном курсовом проекте предлагается использовать после процесса резки ванну химической обработки с такими же внутренними размерами, но в качестве материала будет использоваться фторопласт марки Ф-4 и толщину стенок увеличим до 12 мм. Данные усовершенствования необходимо произвести с целью предотвращения явления коробления ванны при высоких температурах раствора (более 80°С).
В рассматриваемой операции нагрев раствора производится до 95±5°С, а верхний предел диапазона рабочих температур у фторопласта). ограничивается 260°С, исходя из этого видно, что при нагреве ванна, изготовленная из фторопласта, не будет деформироваться.
В качестве материала ванной для обработки пластин монокристаллического кремния эффективнее использовать фторопласт марки Ф-2, т. к. он обладает наиболее высокими рабочими температурами, что делает возможным его применение совместно с нагревателями, также он не испытывает явления водопоглощения и имеет высокую устойчивость к текучести, по сравнению с другими марками фторопласта.
Заключение
В данном курсовом проекте произвели усовершенствование технологического процесса производства ПМК.
В ходе выполнения проекта был проведен обзор литературы, анализ литературных данных и обоснование инженерного решения по совершенствованию технологии. Разработан технологический процесс производства ПМК с учетом принятых инженерных решений. Выполнены расчеты материальных балансов, включая все основные технологические стадии. Рассмотрены вопросы метрологии и качества продукции, охраны окружающей среды в технологии производства ПМК.
Также была разработана технологическая схема производства ПМК по выбранной методике.
Расчет материального баланса показал, что выход годных пластин составил 93,6%. Этот результат является весьма хорошим. Также расчёт показал, что для выполнения программы в 12000 пластин КДБ-10 в год нужно 41 слитков.
Проанализировав полученные результаты можно сделать вывод, что данная технология производства ПМК является целесообразной.
